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气体隔离法也叫注气保护法，在采用压力变送器对低压力或压力测量时采用。检测点的压力变化由导压管内的空气传感到仪表变送器内，经仪表敏感元件检测得到结果。液体隔离法测量 气、氧化氮气、等介质时，用全氟 或者其它的隔离液充灌在隔离罐内，将腐蚀介质与检测仪表的金属零部件隔离起来。液体隔离法存在着一些弊端，比如增加液封就会出现液封介质，被测介质可能与液封介质之间发生化学反应，从而出现新的腐蚀问题降低隔离效果。电流型变频器的直流环节采用了电感元件而得名，其优点是具有四象限运行能力，能很方便地实现电机的制动功能。缺点是需要对逆变桥进行强迫换流，装置结构复杂，调整较为困难。另外，由于电网侧采用可控硅移相整流，故输入电流谐波较大，容量大时对电网会有一定的影响。电压型变频器由于在变频器的直流环节采用了电容元件而得名，其特点是不能进行四象限运行，当负载电动机需要制动时，需要另行制动电路。功率较大时，输出还需要增设正弦波滤波器。高电流型变频器它采用GTO，SCR或IGCT元件串联的法实现直接的高压变频，目前电压可达1KV。由于直流环节使用了电感元件，其对电流不够敏感，因此不容易发生过流故障，逆变器工作也很可靠，保护性能良好。其输入侧采用可控硅相控整流，输入电流谐波较大。变频装置容量大时要考虑对电网的污染和对通信电子设备的干扰问题。均压和缓冲电路，技术复杂，成本高。由于器件较多，装置体积大，调整和维修都比较困难。逆变桥采用强迫换流，发热量也比较大，需要解决器件的散热问题。
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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。万用表测量交流电的有效值，常用的有三种方法：方法一：峰值整流我们知道，交流电的有效值为峰峰值的0.707倍，所以知道了峰峰值也就知道了有效值。这个电路的优点是电路简单，缺点是非正弦波信号不准。电路如下图所示：方法二：平均值整流，又称均方根整流这和常见的桥式整流没什么区别，知道了整流后的电压也就知道了有效值。比峰值整流好点，但精度还是不太够，常用在3位半左右的数字表中。电路如下图所示：方法三：真有效值电路本方法用在比较 一点的表中，应用此电路的数字表会在描述中写“真有效值测量”。三极管关速度快、继电器关速度慢关三极管由于没有机械触点，所以其关速度可以很快（微秒级），而继电器由于机械触点的存在，其关速度（毫秒级）要明显低于三极管的关速度。关功能只是三极管功能的一部分三极管的关功能只是其功能的一部分，三极管还具有电流放大和稳压的作用，这点继电器是不能够到的。继电器和接触器作用类似继电器和接触器的作用非常相似，但是接触器主要用来控制更大的电流的通断。继电器的驱动电路通常用三极管实现继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合，一般的集成电路不能这样大的电流，因此必须进行扩流，即驱动。如果两个线圈的通断状态相反，不同区域中Y0的触点的状态也是相反的，可能使程序运行异常。作者曾遇到因双线圈引起的输出继电器快速振荡的异常现象。所以一般应避免出现双线圈输出现象，可以将a改为b。程序的优化设计在设计并联电路时，应将单个触点的支路放在下面；设计串联电路时，应将单个触点放在右边，否则将多使用一条指令(见)。建议在有线圈的并联电路中将单个线圈放在上面，将a的电路改为b的电路，可以避免使用入栈指令MPS和出栈指令MPP。